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[Q&A] CMP가 포토 공정 중 하나가 아니라는 이유가 궁금합니다

비디라다

2025.05.29 09:55

조회 57

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문제

다음 글을 읽고 추론한 내용으로 적절하지 않은 것은 ? 반도체 웨이퍼는 포토 (Photo), 식각 (Etch), 확산 (Diffusion), 박막 (Thinfilm) 등 여러 공정을 거친 후 반도체로 완성된다 . 포토 공정 중 하나인 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정은 반도체 웨이퍼의 표면에 발생한 요철이나 굴곡을 화학적 (Chemical) \cdot 기계적 (Mechanical) 요소를 통해 평평하게 연마 (Polishing) 하는, 즉 평탄화하는 공정을 의미한다 . 반도체는 회로와 소자를 여러 층으로 쌓아 만들게 되므로 CMP 공정을 거치지 않을 경우 반도체의 회로와 소자 층의 면이 고르지 않게 된다 . 최근 소자가 소형화되면서 회로의 선폭이 감소하면서 웨이퍼 내 균일도의 중요성이 더욱 커지게 되었다 . 이에 따라 웨이퍼 표면의 단차가 발생하더라도 이를 제거하는 공정인 CMP 공정의 필요성도 높아졌다 . 또한, CMP 공정을 통해 웨이퍼 표면의 단차를 제거하면, DOF** 를 개선하여 집적도를 높일 수 있다는 것도 CMP 공정의 필요성이 높아진 이유로 볼 수 있다 . * 요철 : 오목함과 볼록함을 아울러 이르는 말 ** DOF: 노광 공정에서는 웨이퍼에 빛을 조사할 때 직접 조사하지 않고 렌즈 같은 광학계를 이용해 빛을 집광시킨다 . 이때 렌즈를 통과한 빛을 웨이퍼에 조사될 때 초점을 맞출 수 있는 범위를 의미한다 .

1 $CMP 공정으로 반도체 웨이퍼 표면의 요철이나 굴곡을 평탄화할 수 있다 .$
2 $포토 공정 중에는 반도체의 회로와 소자 층의 면에 요철이 발생한다 .$
3 $소자가 작아질수록 웨이퍼 내 균일도에 대한 중요성은 커질 것이다 .$
4 $웨이퍼 표면의 단차를 제거함으로써 집적도를 높일 수 있다 .$
5 $CMP 공정은 반도체 제조 공정 중 하나인 포토 공정의 일환이다 .$

CMP 공정이 반도체 평탄화에 쓰인다는 건 알겠는데요, 포토 공정 중 하나는 아니라는 해설이 조금 헷갈립니다.

두 공정의 정확한 관계가 어떻게 되나요?

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