CMP공정이

$$\begin{gathered} \text{다음 글을 읽고 추론한 내용으로 적절하지 않은 것은?} \\ \text{ 반도체 웨이퍼는 포토(Photo), 식각(Etch), 확산(Diffusion), 박막(Thinfilm) 등 여러 공정을 거친 후 반도체로 완성된다. 포토 공정 중 하나인 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정은 반도체 웨이퍼의 표면에 발생한 요철이나 굴곡을 화학적(Chemical)}\cdot \text{기계적(Mechanical) 요소를 통해 평평하게 연마(Polishing)하는, 즉 평탄화하는 공정을 의미한다. 반도체는 회로와 소자를 여러 층으로 쌓아 만들게 되므로 CMP 공정을 거치지 않을 경우 반도체의 회로와 소자 층의 면이 고르지 않게 된다. 최근 소자가 소형화되면서 회로의 선폭이 감소하면서 웨이퍼 내 균일도의 중요성이 더욱 커지게 되었다. 이에 따라 웨이퍼 표면의 단차가 발생하더라도 이를 제거하는 공정인 CMP 공정의 필요성도 높아졌다. 또한, CMP 공정을 통해 웨이퍼 표면의 단차를 제거하면, DOF**를 개선하여 집적도를 높일 수 있다는 것도 CMP 공정의 필요성이 높아진 이유로 볼 수 있다.} \\ \text{* 요철: 오목함과 볼록함을 아울러 이르는 말} \\ \text{** DOF: 노광 공정에서는 웨이퍼에 빛을 조사할 때 직접 조사하지 않고 렌즈 같은 광학계를 이용해 빛을 집광시킨다. 이때 렌즈를 통과한 빛을 웨이퍼에 조사될 때 초점을 맞출 수 있는 범위를 의미한다.} \end{gathered}$$